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FGA30S120P

FGA30S120P

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT Trench Field Stop 1.3kV 60A 348W Through Hole TO-3PN


得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO


欧时:
### 分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


贸泽:
IGBT 晶体管 Shorted AnodeTM IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.3KV 60A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1.3KV 60A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail


DeviceMart:
IGBT 1300V 60A TO-3P


Win Source:
IGBT 1300V 60A 348W TO3P


FGA30S120P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 174 W

击穿电压集电极-发射极 1300 V

额定功率Max 348 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 348 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGA30S120P引脚图与封装图
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FGA30S120P Fairchild 飞兆/仙童 IGBT 分立,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存