FDI030N06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDI030N06中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 231 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 193A
上升时间 178 ns
输入电容Ciss 9815pF @25VVds
额定功率Max 231 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 231W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDI030N06引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDI030N06
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDI030N06 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDI030N06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDI030N06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： I2PAK-3 N-CH 60V 193A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDI040N06 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-262-3 N-CH 60V 168A | 类似代替 | N沟道MOSFET的PowerTrench 60V ， 168A ， 4.0mW时 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 168A, 4.0mW | FDI030N06和FDI040N06的区别 |