FQA30N40
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA30N40中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 30.0 A
额定功率 290 W
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 290 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 320 ns
输入电容Ciss 4400pF @25VVds
额定功率Max 290 W
下降时间 170 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 290W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQA30N40引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA30N40
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA30N40 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 400V 30A 107mohms | 当前型号 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQA30N40和STP55NF06的区别 |
| 型号： SPP11N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB N-Channel 800V 11A | 功能相似 | INFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V | FQA30N40和SPP11N80C3的区别 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQA30N40和STD18N55M5的区别 |