额定电压DC 600 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 5 V
输入电容 3.08 nF
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 3080pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FCB20N60TM | Fairchild 飞兆/仙童 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FCB20N60TM 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 N-Channel 600V 20A 190mohms 3.08nF | 当前型号 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 | |
型号: FCB20N60 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-263 N-Channel 600V 20A | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V | FCB20N60TM和FCB20N60的区别 | |
型号: STB23NM60ND 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 600V 10A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 4 V | FCB20N60TM和STB23NM60ND的区别 | |
型号: STB22NM60N 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB22NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V | FCB20N60TM和STB22NM60N的区别 |