FDP039N08B_F102
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP039N08B_F102中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 214 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 171A
输入电容Ciss 9450pF @40VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 214W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.672 mm
高度 15.215 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDP039N08B_F102引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP039N08B_F102 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |