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FCB20N60FTM

FCB20N60FTM

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Description

SuperFETTM is, Farichild’s proprietary, new generation ofhigh voltage MOSFET f amily that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.

This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance,and withstand extreme dv/ dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and higher efficiency .

Features

• 650V @ TJ =150°C

• Typ.Rdson =0.15:

• Fast RecoveryType trr =160ns

• Ultra low gate charge typ.Qg=75nC

• Low effective output capacitance typ.Coss.eff =165pF

• 100% avalanche tested

FCB20N60FTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 5 V

输入电容 3.08 nF

栅电荷 98.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 3080pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FCB20N60FTM引脚图与封装图
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在线购买FCB20N60FTM
型号 制造商 描述 购买
FCB20N60FTM Fairchild 飞兆/仙童 SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FCB20N60FTM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FCB20N60FTM

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： D2PAK N-Channel 600V 20A 150mohms 3.08nF

当前型号

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： STB23NM60ND

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 10A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 4 V

FCB20N60FTM和STB23NM60ND的区别

型号： FCB20N60TM

品牌： 安森美

封装： D2PAK

功能相似

ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60TM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

FCB20N60FTM和FCB20N60TM的区别

型号： STB20NM60T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263-3 N-Channel 600V 20A 290mΩ 1.5nF

功能相似

N沟道600V - 仅为0.25mΩ - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET ？ N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET

FCB20N60FTM和STB20NM60T4的区别