
极性 N-CH
耗散功率 270 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 4310pF @25VVds
额定功率Max 270 W
下降时间 87 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 270W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDA24N50F | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET 500V , 24A , 0.2Ω N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.2Ω | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDA24N50F 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-3P-3 N-CH 500V 24A | 当前型号 | N沟道MOSFET 500V , 24A , 0.2Ω N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.2Ω | 当前型号 | |
型号: 2N7002K 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 N-CH 60V 0.38A 2500mΩ 2.3V | 功能相似 | 小信号MOSFET 60 V 380 mA时,单N通道, SOT -23 Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23 | FDA24N50F和2N7002K的区别 | |
型号: 2N7002E 品牌: 光宝 封装: | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, | FDA24N50F和2N7002E的区别 |