FCP165N60E
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FCP165N60E中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.132 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 227 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 23A
输入电容Ciss 2434pF @380VVds
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 227W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
FCP165N60E引脚图与封装图
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在线购买FCP165N60E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FCP165N60E | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP165N60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 V 新 | 搜索库存 |
替代型号FCP165N60E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FCP165N60E 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 600V 23A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP165N60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 V 新 | 当前型号 |
| 型号： SIHP22N60E-GE3 品牌： 威世 封装： TO-220AB N-Channel | 功能相似 | VISHAY SIHP22N60E-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3 | FCP165N60E和SIHP22N60E-GE3的区别 |