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FDB9403_F085

FDB9403_F085

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

汽车 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

汽车 N 通道 MOSFET, Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。


得捷:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB9403_F085, 110 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB


FDB9403_F085中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 333 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 19.5 ns

输入电容Ciss 12700pF @25VVds

额定功率Max 333 W

下降时间 46 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 333 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDB9403_F085引脚图与封装图
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FDB9403_F085 Fairchild 飞兆/仙童 汽车 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存