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FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N04AL7  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1 V

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB024N04AL7, 219 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N04AL7  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


安富利:
This N-Channel MOSFET is produced using advance Power Trench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V D2PAK-7


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V D2PAK-7


FDB024N04AL7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 7

漏源极电阻 0.002 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 214 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 219A

输入电容Ciss 7300pF @25VVds

额定功率Max 214 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10.8 mm

宽度 4.3 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDB024N04AL7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDB024N04AL7 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N04AL7  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1 V 搜索库存