FDB035N10A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
漏源极电阻 0.003 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 333 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 214A
上升时间 54 ns
输入电容Ciss 7295pF @25VVds
额定功率Max 333 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 333W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDB035N10A | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |