FDB031N08
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB031N08中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 375 W
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 235A
上升时间 191 ns
输入电容Ciss 15160pF @25VVds
额定功率Max 375 W
下降时间 121 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDB031N08引脚图与封装图
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在线购买FDB031N08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB031N08 | Fairchild 飞兆/仙童 | FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3 | 搜索库存 |
替代型号FDB031N08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB031N08 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-CH 75V 235A | 当前型号 | FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3 | 当前型号 |
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