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FDP22N50N

FDP22N50N

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switching mode power supplies and active power factor correction.

Features

•RDSon = 0.185Ω Typ.@ VGS= 10V, ID= 11A

• Low gate charge Typ. 49nC

• Low Crss Typ. 24pF

• Fast switching

• 100% avalanche tested

• Improve dv/dt capability

• RoHS compliant

FDP22N50N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 312.5 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 22A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 3200pF @25VVds

额定功率Max 312.5 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 312.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.2 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDP22N50N引脚图与封装图
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在线购买FDP22N50N
型号 制造商 描述 购买
FDP22N50N Fairchild 飞兆/仙童 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDP22N50N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDP22N50N

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-220 N-CH 500V 22A

当前型号

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： STP18N55M5

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP18N55M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V

FDP22N50N和STP18N55M5的区别

型号： STP20NK50Z

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 500V 17A 270mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP20NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 3.75 V

FDP22N50N和STP20NK50Z的区别

型号： STP20NM50

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 550V 20A 250mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP20NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

FDP22N50N和STP20NM50的区别