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FCPF380N60

FCPF380N60

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF380N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 2.5 V

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET, Semiconductor

Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。

利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FCPF380N60中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.33 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 10.2A

输入电容Ciss 1665pF @25VVds

额定功率Max 31 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FCPF380N60引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FCPF380N60 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF380N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号FCPF380N60
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FCPF380N60

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220F N-Channel 600V 10.2A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF380N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号: SPA11N60C3XKSA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 600V 11A

功能相似

PG-TO220-3-31 整包

FCPF380N60和SPA11N60C3XKSA1的区别

型号: IPA60R380P6XKSA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 600V 10.6A

功能相似

INFINEON  IPA60R380P6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V

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