FJAF4310YTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJAF4310YTU中文资料参数规格
技术参数
频率 30 MHz
额定电压DC 140 V
额定电流 10.0 A
极性 NPN
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 140 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 90 @3A, 4V
最大电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.7 mm
宽度 5.7 mm
高度 16.7 mm
封装 TO-3-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJAF4310YTU引脚图与封装图
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在线购买FJAF4310YTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJAF4310YTU | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial | 搜索库存 |
替代型号FJAF4310YTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJAF4310YTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PF NPN 140V 10A 80000mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial | 当前型号 |
| 型号： FJAF4310Y 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor | FJAF4310YTU和FJAF4310Y的区别 |