FDB047N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB047N10中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 164A
上升时间 386 ns
输入电容Ciss 15265pF @25VVds
额定功率Max 375 W
下降时间 244 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDB047N10引脚图与封装图
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在线购买FDB047N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB047N10 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB047N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 3.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDB047N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB047N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-Channel 100V 164A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB047N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 3.5 V | 当前型号 |
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