FDB8832_F085
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB8832_F085中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
输入电容Ciss 11400pF @15VVds
额定功率Max 300 W
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
FDB8832_F085引脚图与封装图
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在线购买FDB8832_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB8832_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FDB8832_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB8832_F085 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-CH 30V 80A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FDB8832 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 30V 80A 1.9mohms 11.4nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8832 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 V | FDB8832_F085和FDB8832的区别 |