FJAF6810DTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJAF6810DTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 750 V
额定电流 10.0 A
极性 NPN
耗散功率 60 W
击穿电压集电极-发射极 750 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 5 @6A, 5V
额定功率Max 60 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
长度 15.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 16.7 mm
封装 TO-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJAF6810DTU引脚图与封装图
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在线购买FJAF6810DTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJAF6810DTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans Digital BJT NPN 750V 10A 3Pin3+Tab TO-3pF Rail | 搜索库存 |
替代型号FJAF6810DTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJAF6810DTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PF NPN 750V 10A 60000mW | 当前型号 | Trans Digital BJT NPN 750V 10A 3Pin3+Tab TO-3pF Rail | 当前型号 |
| 型号： FJAF6810D 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO NPN | 类似代替 | NPN型三重扩散平面硅晶体管 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | FJAF6810DTU和FJAF6810D的区别 |