FDMS8570SDC
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMS8570SDC中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 59 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2825pF @13VVds
额定功率Max 3.3 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 59W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DualCool-56-8
外形尺寸
长度 5.1 mm
宽度 5.85 mm
高度 1.05 mm
封装 DualCool-56-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDMS8570SDC引脚图与封装图
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在线购买FDMS8570SDC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMS8570SDC | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8570SDC 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDMS8570SDC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMS8570SDC 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： Power N-Channel 25V 28A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8570SDC 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.5 V | 当前型号 |
| 型号： CSD16414Q5 品牌： 德州仪器 封装： VSON-Clip-8 N-Channel 25V 100A | 功能相似 | N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | FDMS8570SDC和CSD16414Q5的区别 |
| 型号： FQP3P50 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 P-Channel 500V 2.7A 4.9ohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP3P50 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.7 A, -500 V, 4.9 ohm, -10 V, -5 V | FDMS8570SDC和FQP3P50的区别 |