FDB9406_F085
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB9406_F085中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 176 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 48 ns
输入电容Ciss 7710pF @25VVds
下降时间 20 ns
耗散功率Max 176 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDB9406_F085引脚图与封装图
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在线购买FDB9406_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB9406_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道功率MOSFET Trench® 40V ， 110A ， 1.8MI © N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 110A, 1.8mΩ | 搜索库存 |
替代型号FDB9406_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB9406_F085 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263AB N-CH 40V 110A | 当前型号 | N沟道功率MOSFET Trench® 40V ， 110A ， 1.8MI © N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 110A, 1.8mΩ | 当前型号 |
| 型号： FDB8441 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 40V 28A 2.5mohms 15nF | 类似代替 | N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDB9406_F085和FDB8441的区别 |