锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDMC2512SDC

FDMC2512SDC

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET, Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能

高性能通道技术,RDS(接通)极低

SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管

应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3


欧时:
### PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin Power 33 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN


FDMC2512SDC中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 66 W

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 32A

输入电容Ciss 4410pF @13VVds

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 66 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.95 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDMC2512SDC引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDMC2512SDC
型号 制造商 描述 购买
FDMC2512SDC Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存