额定电压DC 200 V
额定电流 3.70 A
通道数 1
漏源极电阻 0.064 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 3.1 V
输入电容 2.31 nF
栅电荷 42.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 3.70 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 2315pF @100VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 78 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 0.75 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMS2672 | Fairchild 飞兆/仙童 | UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDMS2672 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: 8-MLP N-Channel 200V 3.7A 77mohms 2.31nF | 当前型号 | UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 | |
型号: FDS2170N3 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 200V 3A 128mohms | 类似代替 | 200V N沟道的PowerTrench MOSFET剖 200V N-Channel PowerTrench剖 MOSFET | FDMS2672和FDS2170N3的区别 | |
型号: FDS2170N7 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 200V 3A 128mΩ | 类似代替 | 200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDMS2672和FDS2170N7的区别 |