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FDMQ8403
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® 四 SyncFET™ MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Mosfet Array 4 N-Channel H-Bridge 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP 5x4.5


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 12-Pin MLP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 12-Pin MLP EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 12-Pin MLP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.1A 12-Pin MLP EP T/R


Win Source:
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP


FDMQ8403中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 3.1A

上升时间 1.2 ns

输入电容Ciss 215pF @15VVds

额定功率Max 1.9 W

下降时间 1.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 17 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 12

封装 WDFN-12

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4.5 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-12

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDMQ8403引脚图与封装图
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在线购买FDMQ8403
型号 制造商 描述 购买
FDMQ8403 Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® 四 SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存