FDS4435
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4435中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -8.80 A
通道数 1
漏源极电阻 20 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 8.80 A
上升时间 13.5 ns
输入电容Ciss 1604pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDS4435引脚图与封装图
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在线购买FDS4435
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4435 | Fairchild 飞兆/仙童 | P沟道逻辑电平的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS4435
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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