FODM8061R2V
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
电子元器件分类
FODM8061R2V中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 20ns, 10ns
通道数 1
正向电压 1.45 V
耗散功率 100 mW
上升时间 0.02 µs
隔离电压 3750 Vrms
正向电流 50 mA
正向电压Max 1.8 V
正向电流Max 50 mA
下降时间 0.01 µs
工作温度Max 110 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
电源电压 3V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 5-Mini-Flat
外形尺寸
高度 2.11 mm
封装 5-Mini-Flat
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 110℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FODM8061R2V引脚图与封装图
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在线购买FODM8061R2V
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FODM8061R2V | Fairchild 飞兆/仙童 | DIP-6 单通道 5.5 V 10 Mbps 3750 Vrms 表面贴装 光耦合器 | 搜索库存 |
替代型号FODM8061R2V
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FODM8061R2V 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： 6-SOIC | 当前型号 | DIP-6 单通道 5.5 V 10 Mbps 3750 Vrms 表面贴装 光耦合器 | 当前型号 |
| 型号： FODM8061V 品牌： 飞兆/仙童 封装： 6-SMD | 类似代替 | Fairchild Semiconductor### 光耦合器，Fairchild Semiconductor | FODM8061R2V和FODM8061V的区别 |