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FDP19N40
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDP19N40中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 240 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 215 W

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 2115pF @25VVds

额定功率Max 215 W

下降时间 49 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 215W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDP19N40引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDP19N40 Fairchild 飞兆/仙童 FDP19N40 系列 400 V 240 mOhm 法兰安装 N沟道 MOSFET - TO-220-3 搜索库存