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FDMS3600S
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench®功率级25 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench® Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Asymmetrical 25V 15A Ta, 30A Tc, 30A Ta, 40A Tc 2.2W Ta, 2.5W Ta Surface Mount 8-PQFN 5x6


得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 15A/30A 8-Pin Power 56 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 15A/30A 8-Pin Power 56 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS3600S  Dual MOSFET, Powertrench®, Dual N Channel, 40 A, 25 V, 0.0043 ohm, 10 V, 1.8 V


Win Source:
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN


FDMS3600S中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0043 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.2 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 15A/30A

输入电容Ciss 1680pF @13VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMS3600S引脚图与封装图
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FDMS3600S Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench®功率级25 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench® Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET 搜索库存