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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQAF58N08中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 44.0 A

极性 N-CH

耗散功率 85 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 44.0 A

上升时间 200 ns

输入电容Ciss 1900pF @25VVds

下降时间 95 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQAF58N08引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQAF58N08 Fairchild 飞兆/仙童 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET 搜索库存