FDMD82100L
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMD82100L中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 36 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 38 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 2.8 ns
输入电容Ciss 1585pF @50VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 2.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerWDFN-12
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.8 mm
封装 PowerWDFN-12
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDMD82100L引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FDMD82100L | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 12Pin PQFN T/R | 搜索库存 |