FQI7N80TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQI7N80TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 6.60 A
漏源极电阻 1.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.60 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 1850pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 167W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQI7N80TU引脚图与封装图
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在线购买FQI7N80TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQI7N80TU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3Pin3+Tab I2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQI7N80TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQI7N80TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-262 N-Channel 800V 6.6A 1.5ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3Pin3+Tab I2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQI7N80 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET | FQI7N80TU和FQI7N80的区别 |