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FDPF51N25
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF51N25  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 250 V, 60 mohm, 10 V, 5 V

The is an UniFET™ high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

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55nC Typical low gate charge
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63pF Typical low Crss
FDPF51N25中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 28.0 A

额定功率 38 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 60 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 117 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 51.0 A

上升时间 465 ns

输入电容Ciss 3410pF @25VVds

额定功率Max 38 W

下降时间 130 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDPF51N25引脚图与封装图
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在线购买FDPF51N25
型号 制造商 描述 购买
FDPF51N25 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF51N25  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 250 V, 60 mohm, 10 V, 5 V 搜索库存
替代型号FDPF51N25
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDPF51N25

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220-3 N-Channel 250V 51A 60mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF51N25  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 250 V, 60 mohm, 10 V, 5 V

当前型号

型号: FDPF51N25YDTU

品牌: 安森美

封装: TO-220-3

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