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FQA70N10

FQA70N10

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA70N10  晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 70 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V

The is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

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100% Avalanche tested
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85nC Typical low gate charge
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150pF Typical low Crss
FQA70N10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 70.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 214 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 70.0 A

上升时间 470 ns

输入电容Ciss 3300pF @25VVds

额定功率Max 214 W

下降时间 160 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 214 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

FQA70N10引脚图与封装图
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FQA70N10 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA70N10  晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 70 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V 搜索库存