锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDB024N08BL7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 246 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 229A

输入电容Ciss 13530pF @40VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 246W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 9.4 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDB024N08BL7引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDB024N08BL7
型号 制造商 描述 购买
FDB024N08BL7 Fairchild 飞兆/仙童 MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存