FDP8870_F085
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP8870_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4.1 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 160 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 5200pF @15VVds
下降时间 46 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDP8870_F085引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDP8870_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP8870_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDP8870_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP8870_F085 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-CH 30V 19A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDP8870 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 30V 156A 4.1mohms 5.2nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8870. 场效应管, MOSFET, N沟道 | FDP8870_F085和FDP8870的区别 |