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FQA65N06
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQA65N06中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 72.0 A

漏源极电阻 16.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 183W Tc

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 72.0 A

输入电容Ciss 2410pF @25VVds

额定功率Max 183 W

耗散功率Max 183W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQA65N06引脚图与封装图
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FQA65N06 Fairchild 飞兆/仙童 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET 搜索库存