FDB28N30TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB28N30TM中文资料参数规格
技术参数
针脚数 2
漏源极电阻 108 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 5 V
输入电容 2.25 nF
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 135 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 69 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDB28N30TM引脚图与封装图
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在线购买FDB28N30TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB28N30TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB28N30TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 300 V, 108 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDB28N30TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB28N30TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-Channel 300V 28A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB28N30TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 300 V, 108 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： FQB25N33TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 N-Channel 330V 25A 230mΩ 2.01nF | 类似代替 | 330V N沟道MOSFET 330V N-Channel MOSFET | FDB28N30TM和FQB25N33TM的区别 |