FDB42AN15A0_F085
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB42AN15A0_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 150 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 2040pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 3 ns
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDB42AN15A0_F085引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB42AN15A0_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3Pin TO-263 T/R | 搜索库存 |