FCD850N80Z
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FCD850N80Z中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 75 W
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1315pF @100VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
FCD850N80Z引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FCD850N80Z | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |