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FDD9407_F085

FDD9407_F085

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 40V 100A TO252


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET ICE Mosfet


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 100A TO252


FDD9407_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 227 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 6390pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 227W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

FDD9407_F085引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDD9407_F085 Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存