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FDPF18N50
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF18N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V

The is an UniFET™ high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

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100% Avalanche tested
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45nC Typical low gate charge
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25pF Typical low Crss
FDPF18N50中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.22 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 38.5 W

阈值电压 5 V

输入电容 2.86 nF

栅电荷 60.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 165 ns

输入电容Ciss 2860pF @25VVds

额定功率Max 38.5 W

下降时间 90 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDPF18N50引脚图与封装图
FDPF18N50引脚图

FDPF18N50引脚图

FDPF18N50封装图

FDPF18N50封装图

FDPF18N50封装焊盘图

FDPF18N50封装焊盘图

在线购买FDPF18N50
型号 制造商 描述 购买
FDPF18N50 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF18N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V 搜索库存
替代型号FDPF18N50
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDPF18N50

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220-3 N-Channel 500V 18A 265mohms 2.86nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF18N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V

当前型号

型号: STP15NK50ZFP

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3 N-Channel 500V 14A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP15NK50ZFP  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V

FDPF18N50和STP15NK50ZFP的区别

型号: SIHF18N50D-E3

品牌: 威世

封装: TO-220-3 N-Channel

功能相似

VISHAY  SIHF18N50D-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V

FDPF18N50和SIHF18N50D-E3的区别