
针脚数 3
漏源极电阻 0.22 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38.5 W
阈值电压 5 V
输入电容 2.86 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 165 ns
输入电容Ciss 2860pF @25VVds
额定功率Max 38.5 W
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99

FDPF18N50引脚图

FDPF18N50封装图

FDPF18N50封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDPF18N50 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF18N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDPF18N50 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220-3 N-Channel 500V 18A 265mohms 2.86nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF18N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 | |
型号: STP15NK50ZFP 品牌: 意法半导体 封装: TO-220-3 N-Channel 500V 14A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP15NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V | FDPF18N50和STP15NK50ZFP的区别 | |
型号: SIHF18N50D-E3 品牌: 威世 封装: TO-220-3 N-Channel | 功能相似 | VISHAY SIHF18N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V | FDPF18N50和SIHF18N50D-E3的区别 |