FQPF47P06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF47P06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -30.0 A
漏源极电阻 0.026 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 62 W
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 450 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
额定功率Max 62 W
下降时间 195 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF47P06引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQPF47P06
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF47P06 | Fairchild 飞兆/仙童 | FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220F | 搜索库存 |
替代型号FQPF47P06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF47P06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 P-Channel 60V 30A 26mohms | 当前型号 | FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220F | 当前型号 |
| 型号： FQPF47P06YDTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 P-CH 60V 30A | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3Pin3+Tab TO-220F T/R | FQPF47P06和FQPF47P06YDTU的区别 |