FDP26N40
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP26N40中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 265 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 400 V
连续漏极电流Ids 26A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 3185pF @25VVds
额定功率Max 265 W
下降时间 66 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 265W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.38 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDP26N40引脚图与封装图
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在线购买FDP26N40
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP26N40 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP26N40 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 400 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号FDP26N40
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP26N40 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 400V 26A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP26N40 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 400 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： SIHP25N40D-GE3 品牌： 威世 封装： TO-220-3 N-Channel | 功能相似 | N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | FDP26N40和SIHP25N40D-GE3的区别 |
| 型号： SIHP25N40D-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-220AB-3 N-Channel | 功能相似 | MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB | FDP26N40和SIHP25N40D-E3的区别 |