FDB5800
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB5800中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0046 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 242 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 6625pF @15VVds
额定功率Max 242 W
下降时间 12.1 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 242 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB5800引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDB5800
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB5800 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB5800 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号FDB5800
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB5800 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 60V 80A 6mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB5800 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 10 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： HUF76445S3S 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 60V 75A 6.5mohms | 类似代替 | 75A ， 60V ， 0.0075 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | FDB5800和HUF76445S3S的区别 |
| 型号： FDB5800_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 N-CH 60V 80A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | FDB5800和FDB5800_F085的区别 |
| 型号： PSMN004-60B,118 品牌： 恩智浦 封装： D2PAK N-Channel 60V 75A | 功能相似 | D2PAK N-CH 60V 75A | FDB5800和PSMN004-60B,118的区别 |