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FDS86140
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS86140  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.2 A, 100 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2.7 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It is suitable for DC-to-DC converters, off-line UPS and high voltage synchronous rectifier applications.

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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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High power and current handing capability in a widely used surface-mount package
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100% UIL tested
FDS86140中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0081 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 11.2A

上升时间 5.6 ns

输入电容Ciss 2580pF @50VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 4.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDS86140引脚图与封装图
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FDS86140 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS86140  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.2 A, 100 V, 0.0081 ohm, 10 V, 2.7 V 搜索库存