FQPF17N40T
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF17N40T中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 16.0 A
极性 N-CH
耗散功率 56 W
漏源极电压Vds 400 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 185 ns
输入电容Ciss 2300pF @25VVds
额定功率Max 56 W
下降时间 105 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF17N40T引脚图与封装图
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在线购买FQPF17N40T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF17N40T | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 400V 9.5A 3Pin3+Tab TO-220F Rail | 搜索库存 |
替代型号FQPF17N40T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF17N40T 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-CH 400V 9.5A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 400V 9.5A 3Pin3+Tab TO-220F Rail | 当前型号 |
| 型号： FQP33N10 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 | 功能相似 | ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装 | FQPF17N40T和FQP33N10的区别 |