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FQB34N20LTM

FQB34N20LTM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34N20LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 V

The is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction PFC and electronic lamp ballasts.

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Low level gate drive requirement allowing direct operation from logic drivers
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100% Avalanche tested
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55nC Typical low gate charge
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52pF Typical low Crss
FQB34N20LTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 31.0 A

针脚数 2

漏源极电阻 75 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 180 W

阈值电压 2 V

输入电容 3.90 nF

栅电荷 72.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 31.0 A

上升时间 520 ns

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 370 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB34N20LTM引脚图与封装图
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在线购买FQB34N20LTM
型号 制造商 描述 购买
FQB34N20LTM Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34N20LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号FQB34N20LTM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FQB34N20LTM

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： D2PAK N-Channel 200V 31A 75mohms 3.9nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34N20LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号： IRFS31N20DPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 200V 31A

功能相似

N 通道功率 MOSFET 30A 至 39A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

FQB34N20LTM和IRFS31N20DPBF的区别

型号： STB30NF20

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB30NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V

FQB34N20LTM和STB30NF20的区别

型号： IRFS23N20DPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 200V 24A

功能相似

INFINEON  IRFS23N20DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V

FQB34N20LTM和IRFS23N20DPBF的区别