FQA27N25
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA27N25中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 27.0 A
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 210 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 27.0 A
上升时间 270 ns
输入电容Ciss 2450pF @25VVds
额定功率Max 210 W
下降时间 120 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 210W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQA27N25引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA27N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA27N25 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 250V 27A 110mohms | 当前型号 | 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQA27N25和STD18N55M5的区别 |
| 型号： STD6N95K5 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 950V 9A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V | FQA27N25和STD6N95K5的区别 |
| 型号： FQA24N60 品牌： 安森美 封装： TO-3P-3 | 功能相似 | ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装 | FQA27N25和FQA24N60的区别 |