FQA19N20
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA19N20中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 23.0 A
上升时间 190 ns
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
FQA19N20引脚图与封装图
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在线购买FQA19N20
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQA19N20 | Fairchild 飞兆/仙童 | 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQA19N20
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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