FDMS86300
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMS86300中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3.4 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 7082pF @40VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 PowerTDFN-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDMS86300引脚图与封装图
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在线购买FDMS86300
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMS86300 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDMS86300
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMS86300 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： 8-PowerTDFN N-Channel 80V 19A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： BSC042NE7NS3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 75V 19A | 功能相似 | INFINEON BSC042NE7NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.1 V | FDMS86300和BSC042NE7NS3GATMA1的区别 |