FQA13N50C_F109
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA13N50C_F109中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 480 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 218 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 13.5A
输入电容Ciss 2055pF @25VVds
耗散功率Max 218W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
FQA13N50C_F109引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQA13N50C_F109 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3Pin3+Tab TO-3PN | 搜索库存 |